Name: SI2365EDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2365EDS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.42159 CHF
Availability: InStock

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SI2365EDS-T1-GE3
Codice DigiKey	SI2365EDS-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2365EDS-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2365EDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI2365EDS-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 5,9 A (Tc) 1W (Ta), 1,7W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 32mohm a 4A, 4,5V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 36 nC @ 8 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta), 1,7W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,9 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Codice componente base SI2365

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Sostituti (6)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
RQ5A025ZPTL	Rohm Semiconductor	2’610	RQ5A025ZPTLCT-ND	Fr. 0.76000	Simile
RQ5A030APTL	Rohm Semiconductor	13’293	RQ5A030APTLCT-ND	Fr. 0.47000	Simile
RQ5C030TPTL	Rohm Semiconductor	9’475	RQ5C030TPTLCT-ND	Fr. 0.80000	Simile
RQ5C035BCTCL	Rohm Semiconductor	12’949	RQ5C035BCTCLCT-ND	Fr. 0.63000	Simile
TSM260P02CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	15	1801-TSM260P02CXRFGCT-ND	Fr. 0.67000	Simile

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