
SI2399DS-T1-GE3 | |
---|---|
Codice DigiKey | SI2399DS-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2399DS-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2399DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI2399DS-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 20 V 6 A (Tc) 2,5W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI2399DS-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 2,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 34mohm a 5,1A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 1,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 20 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | ±12V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 835 pF @ 10 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | SOT-23-3 (TO-236) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
1 | Fr. 0.46000 | Fr. 0.46 |
10 | Fr. 0.35000 | Fr. 3.50 |
100 | Fr. 0.22940 | Fr. 22.94 |
500 | Fr. 0.18564 | Fr. 92.82 |
1’000 | Fr. 0.15372 | Fr. 153.72 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
3’000 | Fr. 0.12264 | Fr. 367.92 |
6’000 | Fr. 0.12138 | Fr. 728.28 |
9’000 | Fr. 0.12012 | Fr. 1’081.08 |
15’000 | Fr. 0.11867 | Fr. 1’780.05 |
21’000 | Fr. 0.11461 | Fr. 2’406.81 |
30’000 | Fr. 0.11066 | Fr. 3’319.80 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.46000 |
---|---|
Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.49726 |