Name: SI3129DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI3129DV-T1-GE3TR-ND
Price: 0.90804 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SI3129DV-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SI3129DV-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SI3129DV-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SI3129DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI3129DV-T1-GE3
Descrizione	P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP
Tempi di consegna standard del produttore	33 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 80 V 3,8A (Ta), 5,4A (Tc) 2W (Ta), 4,2W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,8A (Ta), 5,4A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	82,7mohm a 3,8A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	805 pF @ 40 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 4,2W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	6-TSOP
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

In magazzino: 6’900

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)