
SI3129DV-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SI3129DV-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SI3129DV-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SI3129DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI3129DV-T1-GE3 |
Descrizione | P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP |
Tempi di consegna standard del produttore | 28 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 80 V 3,8A (Ta), 5,4A (Tc) 2W (Ta), 4,2W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 80 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 82,7mohm a 3,8A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 18 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 805 pF @ 40 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 4,2W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 6-TSOP | |
Contenitore/involucro |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.76000 | Fr. 0.76 |
10 | Fr. 0.52700 | Fr. 5.27 |
100 | Fr. 0.34460 | Fr. 34.46 |
500 | Fr. 0.26612 | Fr. 133.06 |
1’000 | Fr. 0.21840 | Fr. 218.40 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.20874 | Fr. 626.22 |
6’000 | Fr. 0.19236 | Fr. 1’154.16 |
9’000 | Fr. 0.18060 | Fr. 1’625.40 |
15’000 | Fr. 0.17509 | Fr. 2’626.35 |
21’000 | Fr. 0.17260 | Fr. 3’624.60 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.76000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.82156 |