
SI3417DV-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI3417DV-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI3417DV-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI3417DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI3417DV-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 8 A (Ta) 2W (Ta), 4,2W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI3417DV-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 25,2mohm a 7,3A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 50 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1350 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 4,2W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 6-TSOP | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.48000 | Fr. 0.48 |
| 10 | Fr. 0.32600 | Fr. 3.26 |
| 100 | Fr. 0.21060 | Fr. 21.06 |
| 500 | Fr. 0.15972 | Fr. 79.86 |
| 1’000 | Fr. 0.14327 | Fr. 143.27 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.10332 | Fr. 309.96 |
| 6’000 | Fr. 0.10248 | Fr. 614.88 |
| 9’000 | Fr. 0.09492 | Fr. 854.28 |
| 15’000 | Fr. 0.09340 | Fr. 1’401.00 |
| 21’000 | Fr. 0.09050 | Fr. 1’900.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.48000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.51888 |







