Name: SI3443DDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3443DDV-T1-GE3TR-ND
Price: 0.37835 CHF
Availability: InStock

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SI3443DDV-T1-GE3
Codice DigiKey	SI3443DDV-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI3443DDV-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI3443DDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI3443DDV-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 4 A (Ta), 5.3 A (Tc) 1,7W (Ta), 2,7W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI3443DDV-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4 A (Ta), 5.3 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	47mohm a 4,5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	30 nC @ 8 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	970 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,7W (Ta), 2,7W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	6-TSOP
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base	SI3443

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Nastrato in bobina (TR)