DG447DV-T1-E3
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SI3458BDV-T1-GE3

Codice DigiKey
SI3458BDV-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI3458BDV-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI3458BDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SI3458BDV-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 4,1 A (Tc) 2W (Ta), 3,3W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SI3458BDV-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
100mohm a 3,2A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
350 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta), 3,3W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
6-TSOP
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
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10Fr. 0.65100Fr. 6.51
100Fr. 0.43020Fr. 43.02
500Fr. 0.33514Fr. 167.57
1’000Fr. 0.30455Fr. 304.55
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.03000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.11343