
SI3458BDV-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey   | SI3458BDV-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI3458BDV-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI3458BDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®  | 
Produttore   | |
Codice produttore   | SI3458BDV-T1-GE3  | 
Descrizione  | MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP  | 
Riferimento cliente   | |
Descrizione dettagliata  | Canale N 60 V 4,1 A (Tc) 2W (Ta), 3,3W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP  | 
Scheda tecnica  | Scheda tecnica | 
Modelli EDA/CAD  | SI3458BDV-T1-GE3 Modelli | 
Tipo   | Descrizione  | Seleziona tutto  | 
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Categoria  | ||
Produttore  | ||
Serie  | ||
Confezionamento  | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®  | |
Stato componente  | Obsoleto  | |
Tipo FET  | ||
Tecnologia  | ||
Tensione drain/source (Vdss)  | 60 V  | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C  | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)  | 4,5V, 10V  | |
RDSon (max) a Id, Vgs  | 100mohm a 3,2A, 10V  | |
Vgs(th) max a Id  | 3V a 250µA  | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs  | 11 nC @ 10 V  | |
Vgs (max)  | ±20V  | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds  | 350 pF @ 30 V  | |
Funzione FET  | -  | |
Dissipazione di potenza (max)  | 2W (Ta), 3,3W (Tc)  | |
Temperatura di funzionamento  | -55°C ~ 150°C (TJ)  | |
Grado  | -  | |
Qualifica  | -  | |
Tipo di montaggio  | A montaggio superficiale  | |
Contenitore del fornitore  | 6-TSOP  | |
Contenitore/involucro  | ||
Codice componente base  | 
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot | 
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.03000 | Fr. 1.03 | 
| 10 | Fr. 0.65100 | Fr. 6.51 | 
| 100 | Fr. 0.43020 | Fr. 43.02 | 
| 500 | Fr. 0.33514 | Fr. 167.57 | 
| 1’000 | Fr. 0.30455 | Fr. 304.55 | 
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.03000 | 
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.11343 | 


