SI9407BDY-T1-GE3
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SI4114DY-T1-E3

Codice DigiKey
SI4114DY-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI4114DY-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI4114DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SI4114DY-T1-E3
Descrizione
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore
19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 20 V 20 A (Tc) 2,5W (Ta), 5,7W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
20 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
6mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3700 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,5W (Ta), 5,7W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base
SI4114
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In magazzino: 10’708
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.40000Fr. 1.40
10Fr. 1.07700Fr. 10.77
100Fr. 0.79810Fr. 79.81
500Fr. 0.68452Fr. 342.26
1’000Fr. 0.67320Fr. 673.20
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.55000Fr. 1’375.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.40000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.51340