
SI3473DDV-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI3473DDV-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI3473DDV-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI3473DDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI3473DDV-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP |
Tempi di consegna standard del produttore | 13 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 12 V 8 A (Tc) 3,6W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI3473DDV-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 12 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 1,8V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 17,8mohm a 8,7A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 57 nC @ 8 V | |
Vgs (max) | ±8V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1975 pF @ 6 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,6W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 6-TSOP | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.44000 | Fr. 0.44 |
| 10 | Fr. 0.28400 | Fr. 2.84 |
| 100 | Fr. 0.13520 | Fr. 13.52 |
| 500 | Fr. 0.12936 | Fr. 64.68 |
| 1’000 | Fr. 0.12096 | Fr. 120.96 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.10080 | Fr. 302.40 |
| 6’000 | Fr. 0.09072 | Fr. 544.32 |
| 9’000 | Fr. 0.08736 | Fr. 786.24 |
| 15’000 | Fr. 0.08694 | Fr. 1’304.10 |
| 21’000 | Fr. 0.08330 | Fr. 1’749.30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.44000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.47564 |











