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SI3590DV-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI3590DV-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI3590DV-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI3590DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI3590DV-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 2,5 A, 1,7 A 830mW A montaggio superficiale 6-TSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 77mohm a 3A, 4,5V |
Produttore Vishay Siliconix | Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 4,5nC a 4,5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 830mW |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Configurazione Canale N e P | Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore del fornitore 6-TSOP |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Codice componente base |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,5 A, 1,7 A |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| NTGD4167CT1G | onsemi | 961’140 | NTGD4167CT1GOSCT-ND | Fr. 0.79000 | Simile |
In magazzino: 33
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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.08000 | Fr. 1.08 |
| 10 | Fr. 0.67900 | Fr. 6.79 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.08000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.16748 |
