SI9407BDY-T1-GE3
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SI4100DY-T1-E3

Codice DigiKey
SI4100DY-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI4100DY-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI4100DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SI4100DY-T1-E3
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 6,8 A (Tc) 2,5W (Ta), 6W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SI4100DY-T1-E3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
63mohm a 4,4A, 10V
Vgs(th) max a Id
4,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
600 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,5W (Ta), 6W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Contenitore/involucro
Codice componente base
Product Questions and Answers

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In magazzino: 27’329
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.30000Fr. 1.30
10Fr. 0.92200Fr. 9.22
100Fr. 0.63710Fr. 63.71
500Fr. 0.50436Fr. 252.18
1’000Fr. 0.46512Fr. 465.12
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.38000Fr. 950.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.30000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.40530