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Equivalente parametrico

SI4124DY-T1-GE3
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SI9407BDY-T1-GE3
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SI4124DY-T1-E3

Codice DigiKey
SI4124DY-T1-E3-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SI4124DY-T1-E3
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 20,5 A (Tc) 2,5W (Ta), 5,7W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
20,5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
7,5mohm a 14A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3540 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,5W (Ta), 5,7W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base
SI4124
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.67747Fr. 1’693.67
5’000Fr. 0.67000Fr. 3’350.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.67747
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.73235