
SI4166DY-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI4166DY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4166DY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4166DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4166DY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 30,5 A (Tc) 3W (Ta), 6,5W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI4166DY-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 3,9mohm a 15A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 65 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2730 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 6,5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.72000 | Fr. 0.72 |
10 | Fr. 0.62600 | Fr. 6.26 |
100 | Fr. 0.53530 | Fr. 53.53 |
500 | Fr. 0.51408 | Fr. 257.04 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’500 | Fr. 0.45257 | Fr. 1’131.42 |
5’000 | Fr. 0.42205 | Fr. 2’110.25 |
7’500 | Fr. 0.42000 | Fr. 3’150.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.72000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.77832 |