SI4170DY-T1-GE3 Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

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Vishay Siliconix

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SI4170DY-T1-GE3
Codice DigiKey	SI4170DY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI4170DY-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 30 A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	30 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	3,5mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,6V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4355 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta), 6W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SOIC
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	SI4170