
SI4202DY-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI4202DY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4202DY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4202DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4202DY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 12,1A 3,7W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI4202DY-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 12,1A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 14mohm a 8A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 17nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 710pF a 15V | |
Potenza - Max | 3,7W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.54000 | Fr. 1.54 |
| 10 | Fr. 0.98400 | Fr. 9.84 |
| 100 | Fr. 0.66340 | Fr. 66.34 |
| 500 | Fr. 0.52606 | Fr. 263.03 |
| 1’000 | Fr. 0.48960 | Fr. 489.60 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.43404 | Fr. 1’085.10 |
| 5’000 | Fr. 0.40450 | Fr. 2’022.50 |
| 7’500 | Fr. 0.40000 | Fr. 3’000.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.54000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.66474 |











