SI4430BDY-T1-GE3 è esaurito e può essere richiesto per un ordine arretrato.
Sostituti disponibili:

Simile

AO4430
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
In magazzino: 8’783
Prezzo unitario : Fr. 1.19000
Scheda tecnica

Simile

BSO040N03MSGXUMA1
Infineon Technologies
In magazzino: 1’253
Prezzo unitario : Fr. 1.59000
Scheda tecnica

Simile

FDS8870
onsemi
In magazzino: 46
Prezzo unitario : Fr. 1.39000
Scheda tecnica

Simile

IRF7831PBF
Infineon Technologies
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
Scheda tecnica

Simile

IRF7831TRPBF
Infineon Technologies
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 1.41000
Scheda tecnica

Simile

IRF7832TRPBF
Infineon Technologies
In magazzino: 17’465
Prezzo unitario : Fr. 1.34000
Scheda tecnica

Simile

IRF8734TRPBF
Infineon Technologies
In magazzino: 146’476
Prezzo unitario : Fr. 0.81000
Scheda tecnica

Simile

IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
In magazzino: 19’102
Prezzo unitario : Fr. 0.71000
Scheda tecnica

Simile

NTMS4802NR2G
onsemi
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
Scheda tecnica
Visualizza e confronta tutti i componenti sostitutivi
SI9407BDY-T1-GE3
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SI4430BDY-T1-GE3

Codice DigiKey
SI4430BDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI4430BDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI4430BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SI4430BDY-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 14 A (Ta) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
14 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4,5mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
36 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,6W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base
SI4430
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 in magazzino
Verifica i tempi di consegna
Richiedi notifica di giacenza
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.20000Fr. 2.20
10Fr. 1.42100Fr. 14.21
100Fr. 0.97660Fr. 97.66
500Fr. 0.79560Fr. 397.80
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.65985Fr. 1’649.63
5’000Fr. 0.65000Fr. 3’250.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.20000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.37820
Ti potrebbe anche interessare
1 Articoli
SI4430BDY-T1-E3

SI4430BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

Vishay Siliconix

Fr. 2.05000