
SI4464DY-T1-E3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI4464DY-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4464DY-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4464DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4464DY-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 200 V 1,7 A (Ta) 1,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI4464DY-T1-E3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 200 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 240mohm a 2,2A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 18 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 1,5W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.84000 | Fr. 1.84 |
| 10 | Fr. 1.18200 | Fr. 11.82 |
| 100 | Fr. 0.80450 | Fr. 80.45 |
| 500 | Fr. 0.64292 | Fr. 321.46 |
| 1’000 | Fr. 0.62424 | Fr. 624.24 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.53482 | Fr. 1’337.05 |
| 5’000 | Fr. 0.51000 | Fr. 2’550.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.84000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.98904 |








