Name: SI4488DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4488DY-T1-E3TR-ND
Price: 3.01599 CHF
Availability: InStock

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SI4488DY-T1-E3
Codice DigiKey	SI4488DY-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4488DY-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4488DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI4488DY-T1-E3
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 3,5 A (Ta) 1,56W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 50mohm a 5A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA (min)
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 36 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,56W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,5 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base SI4488

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 0.86892	Fr. 2’172.30
5’000	Fr. 0.82769	Fr. 4’138.45

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.79000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.01599

SI4488DY-T1-E3