SI9407BDY-T1-GE3
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SI4488DY-T1-E3

Codice DigiKey
SI4488DY-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI4488DY-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI4488DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SI4488DY-T1-E3
Descrizione
MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore
15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 150 V 3,5 A (Ta) 1,56W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
150 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
50mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA (min)
Carica del gate (Qg) max a Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,56W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base
SI4488
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In magazzino: 5’795
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.04000Fr. 1.04
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.85000Fr. 2’125.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.04000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.12424