
SI4564DY-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI4564DY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4564DY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4564DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4564DY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 10 A, 9,2 A 3,1W, 3,2W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI4564DY-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | Canale N e P | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 40V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 10 A, 9,2 A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 17,5mohm a 8A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 31nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 855pF a 20V | |
Potenza - Max | 3,1W, 3,2W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.21000 | Fr. 1.21 |
10 | Fr. 0.91400 | Fr. 9.14 |
100 | Fr. 0.66340 | Fr. 66.34 |
500 | Fr. 0.52606 | Fr. 263.03 |
1’000 | Fr. 0.48960 | Fr. 489.60 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’500 | Fr. 0.43404 | Fr. 1’085.10 |
5’000 | Fr. 0.40690 | Fr. 2’034.50 |
7’500 | Fr. 0.40494 | Fr. 3’037.05 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.21000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.30801 |