SI9407BDY-T1-GE3
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SI4686DY-T1-GE3

Codice DigiKey
SI4686DY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI4686DY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI4686DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SI4686DY-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore
19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 18,2 A (Tc) 3W (Ta), 5,2W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®, WFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
18,2 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
9,5mohm a 13,8A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1220 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 5,2W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base
SI4686
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In magazzino: 6’238
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.68000Fr. 1.68
10Fr. 1.07500Fr. 10.75
100Fr. 0.72820Fr. 72.82
500Fr. 0.57968Fr. 289.84
1’000Fr. 0.55080Fr. 550.80
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.45000Fr. 1’125.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.68000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.81608