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SI4800BDY-T1-E3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI4800BDY-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4800BDY-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4800BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4800BDY-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 6,5 A (Ta) 1,3W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI4800BDY-T1-E3 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 18,5mohm a 9A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 1,8V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 13 nC @ 5 V | |
Vgs (max) | ±25V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 1,3W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 4’351
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.39000 | Fr. 0.39 |
| 10 | Fr. 0.34700 | Fr. 3.47 |
| 100 | Fr. 0.29540 | Fr. 29.54 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.39000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.42159 |
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