Name: SI4804CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4804CDY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.01614 CHF
Availability: InStock

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SI4804CDY-T1-GE3
Codice DigiKey	SI4804CDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4804CDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4804CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI4804CDY-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 8A 3,1W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 23nC a 10V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 865pF a 15V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 3,1W
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione 2 canali N (doppio)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8A	Codice componente base SI4804
RDSon (max) a Id, Vgs 22mohm a 7,5A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.94000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.01614

SI4804CDY-T1-GE3