
SI4842BDY-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI4842BDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4842BDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4842BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4842BDY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 28A 8SO |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 28 A (Tc) 3W (Ta), 6,25W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 4,2mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 100 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3650 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 6,25W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 2.22000 | Fr. 2.22 |
10 | Fr. 1.66400 | Fr. 16.64 |
100 | Fr. 1.15450 | Fr. 115.45 |
500 | Fr. 0.97920 | Fr. 489.60 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’500 | Fr. 0.84672 | Fr. 2’116.80 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.22000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.39982 |