
SI4925DDY-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI4925DDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4925DDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4925DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4925DDY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 8A 5W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI4925DDY-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 8A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 29mohm a 7,3A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 50nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1350pF a 15V | |
Potenza - Max | 5W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.21000 | Fr. 1.21 |
| 10 | Fr. 0.76400 | Fr. 7.64 |
| 100 | Fr. 0.50830 | Fr. 50.83 |
| 500 | Fr. 0.39870 | Fr. 199.35 |
| 1’000 | Fr. 0.36343 | Fr. 363.43 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.32524 | Fr. 813.10 |
| 5’000 | Fr. 0.31257 | Fr. 1’562.85 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.21000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.30801 |











