SI9407BDY-T1-GE3
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SI4943CDY-T1-GE3

Codice DigiKey
SI4943CDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI4943CDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI4943CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SI4943CDY-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 20V 8A 3,1W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SI4943CDY-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali P (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
8A
RDSon (max) a Id, Vgs
19,2mohm a 8,3A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
62nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1945pF a 10V
Potenza - Max
3,1W
Temperatura di funzionamento
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Codice componente base
SI4943
Product Questions and Answers

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In magazzino: 3’369
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.95000Fr. 1.95
10Fr. 1.25500Fr. 12.55
100Fr. 0.85740Fr. 85.74
500Fr. 0.68700Fr. 343.50
1’000Fr. 0.67614Fr. 676.14
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.57302Fr. 1’432.55
5’000Fr. 0.55240Fr. 2’762.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.95000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.10795
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