SI5432DC-T1-GE3 Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

SI5432DC-T1-GE3 è obsoleto e non è più in produzione.

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Vishay Siliconix

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Prezzo unitario : Fr. 1.37000

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SI5432DC-T1-GE3
Codice DigiKey	SI5432DC-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI5432DC-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 6 A (Tc) 2,5W (Ta), 6,3W (Tc) A montaggio superficiale 1206-8 ChipFET™
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	20mohm a 8,3A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1200 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta), 6,3W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	1206-8 ChipFET™
Contenitore/involucro	8-SMD, conduttori piatti
Codice componente base	SI5432