SI5403DC-T1-GE3
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SI5424DC-T1-GE3

Codice DigiKey
SI5424DC-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI5424DC-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI5424DC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SI5424DC-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 6 A (Tc) 2,5W (Ta), 6,25W (Tc) A montaggio superficiale 1206-8 ChipFET™
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
6 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
24mohm a 4,8A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
950 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,5W (Ta), 6,25W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
1206-8 ChipFET™
Contenitore/involucro
8-SMD, conduttori piatti
Codice componente base
SI5424
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.38000Fr. 1.38
10Fr. 0.87100Fr. 8.71
100Fr. 0.58370Fr. 58.37
500Fr. 0.46042Fr. 230.21
Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.00000Fr. 1.00
10Fr. 0.62700Fr. 6.27
100Fr. 0.41320Fr. 41.32
500Fr. 0.32144Fr. 160.72
1’000Fr. 0.29189Fr. 291.89
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.00000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.08100