
SI5442DU-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI5442DU-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI5442DU-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI5442DU-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI5442DU-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 20V 25A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 20 V 25 A (Tc) 3,1W (Ta), 31W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® ChipFet singolo |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI5442DU-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 1,8V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 10mohm a 8A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 900mV a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 45 nC @ 8 V | |
Vgs (max) | ±8V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1700 pF @ 10 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,1W (Ta), 31W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® ChipFet singolo | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.24000 | Fr. 0.24 |
| 10 | Fr. 0.19600 | Fr. 1.96 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.16891 | Fr. 506.73 |
| 6’000 | Fr. 0.16606 | Fr. 996.36 |
| 9’000 | Fr. 0.16320 | Fr. 1’468.80 |
| 15’000 | Fr. 0.16000 | Fr. 2’400.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.24000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.25944 |






