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SI5908DC-T1-E3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI5908DC-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI5908DC-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI5908DC-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI5908DC-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 4,4A 1,1W A montaggio superficiale 1206-8 ChipFET™ |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI5908DC-T1-E3 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 4,4A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 40mohm a 4,4A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 7,5nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | - | |
Potenza - Max | 1,1W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SMD, conduttori piatti | |
Contenitore del fornitore | 1206-8 ChipFET™ | |
Codice componente base |
Obsoleto
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