
SI5936DU-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI5936DU-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI5936DU-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI5936DU-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI5936DU-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 6A 10,4W A montaggio superficiale PowerPAK® ChipFet doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI5936DU-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 6A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 30mohm a 5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 11nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 320pF a 15V | |
Potenza - Max | 10,4W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® ChipFET™ doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® ChipFet doppio | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.83000 | Fr. 0.83 |
| 10 | Fr. 0.52100 | Fr. 5.21 |
| 100 | Fr. 0.34060 | Fr. 34.06 |
| 500 | Fr. 0.26292 | Fr. 131.46 |
| 1’000 | Fr. 0.23790 | Fr. 237.90 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.21022 | Fr. 630.66 |
| 6’000 | Fr. 0.19011 | Fr. 1’140.66 |
| 9’000 | Fr. 0.18195 | Fr. 1’637.55 |
| 15’000 | Fr. 0.17971 | Fr. 2’695.65 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.83000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.89723 |







