
SI7116BDN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SI7116BDN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SI7116BDN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SI7116BDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7116BDN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 18.4A/65A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 18,4A (Ta), 65A (Tc) 5W (Ta), 62,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 40 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
RDSon (max) a Id, Vgs | 7,4mohm a 16A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 48 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1915 pF @ 20 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 62,5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.07000 | Fr. 1.07 |
| 10 | Fr. 0.79700 | Fr. 7.97 |
| 100 | Fr. 0.57450 | Fr. 57.45 |
| 500 | Fr. 0.45320 | Fr. 226.60 |
| 1’000 | Fr. 0.41404 | Fr. 414.04 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.36432 | Fr. 1’092.96 |
| 6’000 | Fr. 0.33930 | Fr. 2’035.80 |
| 9’000 | Fr. 0.33350 | Fr. 3’001.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.07000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.15667 |


