
SI7119DN-T1-GE3 | |
---|---|
Codice DigiKey | SI7119DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7119DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7119DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7119DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 15 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 200 V 3,8 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7119DN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 200 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,05ohm a 1A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 25 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 666 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,7W (Ta), 52W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
1 | Fr. 1.22000 | Fr. 1.22 |
10 | Fr. 0.77400 | Fr. 7.74 |
100 | Fr. 0.51530 | Fr. 51.53 |
500 | Fr. 0.40438 | Fr. 202.19 |
1’000 | Fr. 0.36870 | Fr. 368.70 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
3’000 | Fr. 0.32756 | Fr. 982.68 |
6’000 | Fr. 0.30058 | Fr. 1’803.48 |
9’000 | Fr. 0.29000 | Fr. 2’610.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.22000 |
---|---|
Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.31882 |