Name: SI7212DN-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7212DN-T1-E3TR-ND
Price: 3.03761 CHF
Availability: InStock

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SI7212DN-T1-E3
Codice DigiKey	SI7212DN-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7212DN-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7212DN-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI7212DN-T1-E3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 4,9A 1.3W A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 36mohm a 6,8A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 1,6V a 250µA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11nC a 4,5V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 1.3W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8 doppio
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8 doppio
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,9A	Codice componente base SI7212

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In magazzino: 13’249

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.86356	Fr. 2’590.68
6’000	Fr. 0.83743	Fr. 5’024.58

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.81000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.03761

SI7212DN-T1-E3