SIS903DN-T1-GE3
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SI7220DN-T1-E3

Codice DigiKey
SI7220DN-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI7220DN-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI7220DN-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SI7220DN-T1-E3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 3,4A 1.3W A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 doppio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SI7220DN-T1-E3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3,4A
RDSon (max) a Id, Vgs
60mohm a 4,8A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
20nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
-
Potenza - Max
1.3W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® 1212-8 doppio
Contenitore del fornitore
PowerPAK® 1212-8 doppio
Codice componente base
SI7220
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In magazzino: 341
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 3.15000Fr. 3.15
10Fr. 2.06600Fr. 20.66
100Fr. 1.45100Fr. 145.10
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.80730Fr. 2’421.90
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 3.15000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 3.40515