
SI7232DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI7232DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7232DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7232DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7232DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212 |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 25A 23W A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7232DN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 25A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 16,4mohm a 10A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 32nC a 8V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1220pF a 10V | |
Potenza - Max | 23W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® 1212-8 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 doppio | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.03000 | Fr. 1.03 |
| 10 | Fr. 0.65100 | Fr. 6.51 |
| 100 | Fr. 0.43020 | Fr. 43.02 |
| 500 | Fr. 0.33514 | Fr. 167.57 |
| 1’000 | Fr. 0.30455 | Fr. 304.55 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.26570 | Fr. 797.10 |
| 6’000 | Fr. 0.24614 | Fr. 1’476.84 |
| 9’000 | Fr. 0.23618 | Fr. 2’125.62 |
| 15’000 | Fr. 0.23000 | Fr. 3’450.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.03000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.11343 |











