
SI7232DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI7232DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7232DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7232DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7232DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212 |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 25A 23W A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7232DN-T1-GE3 Modelli |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 16,4mohm a 10A, 4,5V |
Produttore Vishay Siliconix | Vgs(th) max a Id 1V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 32nC a 8V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1220pF a 10V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 23W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8 doppio |
Tensione drain/source (Vdss) 20V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 25A | Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.08000 | Fr. 1.08 |
| 10 | Fr. 0.67900 | Fr. 6.79 |
| 100 | Fr. 0.44820 | Fr. 44.82 |
| 500 | Fr. 0.34920 | Fr. 174.60 |
| 1’000 | Fr. 0.31732 | Fr. 317.32 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.27684 | Fr. 830.52 |
| 6’000 | Fr. 0.25646 | Fr. 1’538.76 |
| 9’000 | Fr. 0.24608 | Fr. 2’214.72 |
| 15’000 | Fr. 0.23442 | Fr. 3’516.30 |
| 21’000 | Fr. 0.22751 | Fr. 4’777.71 |
| 30’000 | Fr. 0.22396 | Fr. 6’718.80 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.08000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.16748 |











