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SI7252DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI7252DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7252DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7252DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7252DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 28 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 36,7A 46W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7252DP-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 100V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 36,7A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 18mohm a 15A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 27nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1170pF a 50V | |
Potenza - Max | 46W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Codice componente base |
In magazzino: 26’613
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.32000 | Fr. 2.32 |
| 10 | Fr. 1.50300 | Fr. 15.03 |
| 100 | Fr. 1.03660 | Fr. 103.66 |
| 500 | Fr. 0.85680 | Fr. 428.40 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.70000 | Fr. 2’100.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.32000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.50792 |
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