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SI7252DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI7252DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7252DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7252DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7252DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 36,7A 46W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7252DP-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 18mohm a 15A, 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 27nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1170pF a 50V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 46W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio |
Tensione drain/source (Vdss) 100V | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 36,7A | Codice componente base |
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In magazzino: 17’354
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.41000 | Fr. 2.41 |
| 10 | Fr. 1.56600 | Fr. 15.66 |
| 100 | Fr. 1.08000 | Fr. 108.00 |
| 500 | Fr. 0.87228 | Fr. 436.14 |
| 1’000 | Fr. 0.83431 | Fr. 834.31 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.72082 | Fr. 2’162.46 |
| 6’000 | Fr. 0.68163 | Fr. 4’089.78 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.41000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.60521 |
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