
SI7288DP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI7288DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7288DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7288DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7288DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 20A 15,6W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7288DP-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,8V a 250µA |
Produttore Vishay Siliconix | Carica del gate (Qg) max a Vgs 15nC a 10V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 565pF a 20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 15,6W |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio |
Tensione drain/source (Vdss) 40V | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20A | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 19mohm a 10A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.72000 | Fr. 1.72 |
| 10 | Fr. 1.10200 | Fr. 11.02 |
| 100 | Fr. 0.74540 | Fr. 74.54 |
| 500 | Fr. 0.59286 | Fr. 296.43 |
| 1’000 | Fr. 0.54382 | Fr. 543.82 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.48156 | Fr. 1’444.68 |
| 6’000 | Fr. 0.45023 | Fr. 2’701.38 |
| 9’000 | Fr. 0.43428 | Fr. 3’908.52 |
| 15’000 | Fr. 0.42845 | Fr. 6’426.75 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.72000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.85932 |








