SI7434DP-T1-E3 Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

SI7434DP-T1-E3 è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Consigliato dal produttore

Vishay Siliconix

In magazzino: 5’498

Prezzo unitario : Fr. 197.89000

Simile

Infineon Technologies

In magazzino: 927

Prezzo unitario : Fr. 235.16000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SI7434DP-T1-E3
Codice DigiKey	742-SI7434DP-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SI7434DP-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SI7434DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI7434DP-T1-E3
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 250 V 2,3 A (Ta) 1,9W (Ta) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI7434DP-T1-E3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	250 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	155mohm a 3,8A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,9W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerPAK® SO-8
Contenitore/involucro	PowerPAK® SO-8
Codice componente base	SI7434