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SI7613DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI7613DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7613DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7613DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7613DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 20 V 35 A (Tc) 3,8W (Ta), 52,1W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7613DN-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 87 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±16V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2620 pF @ 10 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 52,1W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 20 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 8,7mohm a 17A, 10V |
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In magazzino: 26’012
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.34000 | Fr. 1.34 |
| 10 | Fr. 0.84800 | Fr. 8.48 |
| 100 | Fr. 0.56560 | Fr. 56.56 |
| 500 | Fr. 0.44486 | Fr. 222.43 |
| 1’000 | Fr. 0.40598 | Fr. 405.98 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.35663 | Fr. 1’069.89 |
| 6’000 | Fr. 0.33179 | Fr. 1’990.74 |
| 9’000 | Fr. 0.31914 | Fr. 2’872.26 |
| 15’000 | Fr. 0.30493 | Fr. 4’573.95 |
| 21’000 | Fr. 0.30186 | Fr. 6’339.06 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.34000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.44854 |
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