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SI7812DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI7812DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7812DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7812DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7812DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 75 V 16 A (Tc) 3,8W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7812DN-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 75 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 37mohm a 7,2A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 24 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 840 pF @ 35 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,8W (Ta), 52W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 40’537
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.99000 | Fr. 1.99 |
| 10 | Fr. 1.44400 | Fr. 14.44 |
| 100 | Fr. 1.00070 | Fr. 100.07 |
| 500 | Fr. 0.82008 | Fr. 410.04 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.67000 | Fr. 2’010.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.99000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.15119 |
Svizzera