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SI7850ADP-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI7850ADP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7850ADP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7850ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7850ADP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 10,3 A (Ta), 12 A (Tc) 3,6W (Ta), 35,7W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7850ADP-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,8V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 17 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 790 pF @ 30 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 3,6W (Ta), 35,7W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 19,5mohm a 10A, 10V |
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In magazzino: 8’409
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.50000 | Fr. 1.50 |
| 10 | Fr. 0.95700 | Fr. 9.57 |
| 100 | Fr. 0.64240 | Fr. 64.24 |
| 500 | Fr. 0.50784 | Fr. 253.92 |
| 1’000 | Fr. 0.46455 | Fr. 464.55 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.40959 | Fr. 1’228.77 |
| 6’000 | Fr. 0.38194 | Fr. 2’291.64 |
| 9’000 | Fr. 0.36786 | Fr. 3’310.74 |
| 15’000 | Fr. 0.35493 | Fr. 5’323.95 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.50000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.62150 |
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