
SI7850ADP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI7850ADP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7850ADP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7850ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7850ADP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 28 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 10,3 A (Ta), 12 A (Tc) 3,6W (Ta), 35,7W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7850ADP-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 19,5mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,8V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 17 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 790 pF @ 30 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,6W (Ta), 35,7W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.16000 | Fr. 1.16 |
10 | Fr. 0.59800 | Fr. 5.98 |
100 | Fr. 0.49040 | Fr. 49.04 |
500 | Fr. 0.48740 | Fr. 243.70 |
1’000 | Fr. 0.44614 | Fr. 446.14 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.39312 | Fr. 1’179.36 |
6’000 | Fr. 0.38103 | Fr. 2’286.18 |
9’000 | Fr. 0.37122 | Fr. 3’340.98 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.16000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.25396 |