SI7858ADP-T1-E3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

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Vishay Siliconix

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Prezzo unitario : Fr. 1.84000

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Diodes Incorporated

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Prezzo unitario : Fr. 1.15000

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SI7858ADP-T1-E3
Codice DigiKey	SI7858ADP-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7858ADP-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7858ADP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI7858ADP-T1-E3
Descrizione	MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 12 V 20 A (Ta) 1,9W (Ta) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI7858ADP-T1-E3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 80 nC @ 4.5 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5700 pF @ 6 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 1,9W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 12 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20 A (Ta)	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Codice componente base SI7858
RDSon (max) a Id, Vgs 2,6mohm a 29A, 4,5V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SI7858BDP-T1-GE3	Vishay Siliconix	27’018	SI7858BDP-T1-GE3CT-ND	Fr. 1.84000	Consigliato dal produttore
DMN2005UPS-13	Diodes Incorporated	2’272	DMN2005UPS-13DICT-ND	Fr. 1.15000	Simile

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