
SI7858BDP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI7858BDP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7858BDP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7858BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7858BDP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 12 V 40 A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 12 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 1,8V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 2,5mohm a 15A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 84 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | ±8V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 5760 pF @ 6 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 48W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.47000 | Fr. 1.47 |
| 10 | Fr. 1.01200 | Fr. 10.12 |
| 100 | Fr. 0.73850 | Fr. 73.85 |
| 500 | Fr. 0.61144 | Fr. 305.72 |
| 1’000 | Fr. 0.58752 | Fr. 587.52 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.49826 | Fr. 1’494.78 |
| 6’000 | Fr. 0.48000 | Fr. 2’880.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.47000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.58907 |



