Name: SI7898DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7898DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.67007 CHF
Availability: InStock

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SI7898DP-T1-GE3
Codice DigiKey	SI7898DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7898DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7898DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI7898DP-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 3 A (Ta) 1,9W (Ta) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 85mohm a 3,5A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 21 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,9W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3 A (Ta)	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base SI7898

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.73881	Fr. 2’216.43
6’000	Fr. 0.70110	Fr. 4’206.60

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.47000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.67007

SI7898DP-T1-GE3