
SI7922DN-T1-E3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI7922DN-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7922DN-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7922DN-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7922DN-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212 |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 1,8A 1.3W A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 195mohm a 2,5A, 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 8nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 1.3W |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8 doppio |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8 doppio |
Tensione drain/source (Vdss) 100V | Codice componente base |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,8A |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| QH8K26TR | Rohm Semiconductor | 1’380 | QH8K26CT-ND | Fr. 1.18000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.08000 | Fr. 2.08 |
| 10 | Fr. 1.33900 | Fr. 13.39 |
| 100 | Fr. 0.91590 | Fr. 91.59 |
| 500 | Fr. 0.73474 | Fr. 367.37 |
| 1’000 | Fr. 0.67937 | Fr. 679.37 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.60256 | Fr. 1’807.68 |
| 6’000 | Fr. 0.56538 | Fr. 3’392.28 |
| 9’000 | Fr. 0.55504 | Fr. 4’995.36 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.08000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.24848 |




