
SI7938DP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI7938DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7938DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7938DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7938DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 60A 46W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7938DP-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore Vishay Siliconix | Carica del gate (Qg) max a Vgs 65nC a 10V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2300pF a 20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 46W |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio |
Tensione drain/source (Vdss) 40V | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60A | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 5,8mohm a 18,5A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.89000 | Fr. 1.89 |
| 10 | Fr. 1.21300 | Fr. 12.13 |
| 100 | Fr. 0.82500 | Fr. 82.50 |
| 500 | Fr. 0.65898 | Fr. 329.49 |
| 1’000 | Fr. 0.60558 | Fr. 605.58 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.53781 | Fr. 1’613.43 |
| 6’000 | Fr. 0.50371 | Fr. 3’022.26 |
| 9’000 | Fr. 0.48688 | Fr. 4’381.92 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.89000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.04309 |


