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SI7942DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI7942DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7942DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7942DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7942DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 3,8 A 1,4W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7942DP-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 49mohm a 5,9A, 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 24nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 1,4W |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio |
Tensione drain/source (Vdss) 100V | Codice componente base |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,8 A |
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In magazzino: 3’856
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.26000 | Fr. 3.26 |
| 10 | Fr. 2.13700 | Fr. 21.37 |
| 100 | Fr. 1.50010 | Fr. 150.01 |
| 500 | Fr. 1.25146 | Fr. 625.73 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 1.03000 | Fr. 3’090.00 |
| 6’000 | Fr. 1.02244 | Fr. 6’134.64 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.26000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.52406 |
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