
SI7946ADP-T1-GE3 | |
---|---|
Codice DigiKey | SI7946ADP-T1-GE3-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SI7946ADP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 150V 7.7A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 28 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 150V 7,7 A (Tc) 19,8W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7946ADP-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 150V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 7,7 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 186mohm a 3A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 6,5nC a 7,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 230pF a 75V | |
Potenza - Max | 19,8W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
6’000 | Fr. 0.75620 | Fr. 4’537.20 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.75620 |
---|---|
Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.81745 |