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SI7946ADP-T1-GE3

Codice DigiKey
SI7946ADP-T1-GE3-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SI7946ADP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 150V 7.7A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore
28 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 150V 7,7 A (Tc) 19,8W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SI7946ADP-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
150V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
7,7 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
186mohm a 3A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
6,5nC a 7,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
230pF a 75V
Potenza - Max
19,8W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8 doppio
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8 doppio
Codice componente base
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
6’000Fr. 0.75620Fr. 4’537.20
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.75620
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.81745