
SI7949DP-T1-E3 | |
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Codice DigiKey | SI7949DP-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7949DP-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7949DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7949DP-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 11 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 3,2A 1,5W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7949DP-T1-E3 Modelli |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 64mohm a 5A, 10V |
Produttore Vishay Siliconix | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 40nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 1,5W |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Configurazione 2 canali P (doppio) | Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio |
Tensione drain/source (Vdss) 60V | Codice componente base |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,2A |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.97000 | Fr. 1.97 |
| 10 | Fr. 1.26700 | Fr. 12.67 |
| 100 | Fr. 0.86420 | Fr. 86.42 |
| 500 | Fr. 0.69162 | Fr. 345.81 |
| 1’000 | Fr. 0.63611 | Fr. 636.11 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.56566 | Fr. 1’696.98 |
| 6’000 | Fr. 0.53023 | Fr. 3’181.38 |
| 9’000 | Fr. 0.51609 | Fr. 4’644.81 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.97000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.12957 |

