
SI7949DP-T1-E3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI7949DP-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7949DP-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7949DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7949DP-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 3,2A 1,5W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7949DP-T1-E3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 60V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 3,2A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 64mohm a 5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 40nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | - | |
Potenza - Max | 1,5W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.90000 | Fr. 1.90 |
| 10 | Fr. 1.21700 | Fr. 12.17 |
| 100 | Fr. 0.82940 | Fr. 82.94 |
| 500 | Fr. 0.66380 | Fr. 331.90 |
| 1’000 | Fr. 0.64872 | Fr. 648.72 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.54291 | Fr. 1’628.73 |
| 6’000 | Fr. 0.53000 | Fr. 3’180.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.90000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.05390 |











