
SI7972DP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SI7972DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SI7972DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SI7972DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7972DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 28 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 8 A (Tc) 22W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7972DP-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 60V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 8 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 18mohm a 11A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,7V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 11nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1050pF a 30V | |
Potenza - Max | 22W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.03000 | Fr. 1.03 |
10 | Fr. 0.73800 | Fr. 7.38 |
100 | Fr. 0.55520 | Fr. 55.52 |
500 | Fr. 0.43704 | Fr. 218.52 |
1’000 | Fr. 0.39902 | Fr. 399.02 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.35074 | Fr. 1’052.22 |
6’000 | Fr. 0.32645 | Fr. 1’958.70 |
9’000 | Fr. 0.31987 | Fr. 2’878.83 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.03000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.11343 |